Interface electronic states contribution into terahertz photoconductivity in structures based on Hg 1  – x  Cd  x  Te with inverted energy spectrum

A. S. Kazakov; Казаков А. С.; L. I. Ryabova; Рябова Л. И.; S. N. Danilov; Данилов С. Н.; M. I. Bannikov; Банников М. И.; N. N. Mikhailov; Михайлов Н. Н.; S. A. Dvoretskiy; Дворецкий С. А.; S. N. Chmyr; Чмырь С. Н.; A. V. Ikonnikov; Иконников А. В.; A. I. Artamkin; Артамкин А. И.; A. V. Galeeva; Галеева А. В.; D. R. Khokhlov; Хохлов Д. Р.

doi:10.31857/S0367676523701466

Вклад состояний на интерфейсах в терагерцовую фотопроводимость в структурах на основе Hg_{1 –} _xCd_xTe с инверсным спектром

Авторы: Казаков А.С.¹, Рябова Л.И.², Данилов С.Н.³, Банников М.И.⁴, Михайлов Н.Н.⁵, Дворецкий С.А.⁵, Чмырь С.Н.¹, Иконников А.В.¹, Артамкин А.И.¹, Галеева А.В.¹, Хохлов Д.Р.¹^,4
Учреждения:
1. Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования “Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова”, Физический факультет
2. Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования “Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова”, Химический факультет
3. Университет Регенсбурга
4. Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физический институт имени П.Н. Лебедева Российской академии наук
5. Федеральное государственное бюджетное учреждение науки “Институт физики полупроводников имени А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук”
Выпуск: Том 87, № 6 (2023)
Страницы: 843-848
Раздел: Статьи
URL: https://edgccjournal.org/0367-6765/article/view/654383
DOI: https://doi.org/10.31857/S0367676523701466
EDN: https://elibrary.ru/VLVPZT
ID: 654383

Цитировать

Полный текст

Открытый доступ
Доступ закрыт

Доступ предоставлен
Доступ закрыт

Только для подписчиков

Аннотация
Об авторах
Список литературы
Дополнительные файлы
Статистика

Аннотация

Экспериментально выявлены различия электронных состояний в топологических материалах на основе эпитаксиальных пленок Hg_{1 –} _xCd_xTe, с необходимостью формирующихся на границах топологической фазы с вакуумом и с тривиальным буфером в областях гетероперехода. Было продемонстрировано, что наблюдаемая в указанных структурах PT-симметричная терагерцовая фотопроводимость обусловлена именно состояниями в области интерфейсов топологическая пленка/тривиальный буфер (или покровный слой).

Об авторах

А. С. Казаков

Автор, ответственный за переписку.
Email: askazakov@physics.msu.ru
Россия, Москва

Л. И. Рябова

Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования
“Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова”, Химический факультет

Email: askazakov@physics.msu.ru
Россия, Москва

С. Н. Данилов

Университет Регенсбурга

Email: askazakov@physics.msu.ru
Германия, Регенсбург

М. И. Банников

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
Физический институт имени П.Н. Лебедева Российской академии наук

Email: askazakov@physics.msu.ru
Россия, Москва

Н. Н. Михайлов

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
“Институт физики полупроводников имени А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук”

Email: askazakov@physics.msu.ru
Россия, Новосибирск

С. А. Дворецкий

Email: askazakov@physics.msu.ru
Россия, Новосибирск

С. Н. Чмырь

Email: askazakov@physics.msu.ru
Россия, Москва

А. В. Иконников

Email: askazakov@physics.msu.ru
Россия, Москва

А. И. Артамкин

Email: askazakov@physics.msu.ru
Россия, Москва

А. В. Галеева

Email: askazakov@physics.msu.ru
Россия, Москва

Д. Р. Хохлов

Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования
“Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова”, Физический факультет; Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
Физический институт имени П.Н. Лебедева Российской академии наук

Email: askazakov@physics.msu.ru
Россия, Москва; Россия, Москва

Список литературы

Hasan M.Z., Kane C.L. // Rev. Mod. Phys. 2010. V. 82. P. 3045.
Волков Б.А., Панкратов О.А. // Письма в ЖЭТФ. 1985. Т. 42. № 4. С. 145; Volkov B.A., Pankratov O.A.// JETP Lett. 1985. V. 42. No. 4. P. 145.
Volkov B.A., Pakhomov S.V., Pankratov O.A. // Solid State Commun. 1987. V. 61. No. 2. P. 93.
Brüne C., Liu C.X., Novik E.G. et al. // Phys. Rev. Lett. 2011. V. 106. Art. No. 126803.
Liu C., Bian G., Chang T.R. et al. // Phys. Rev. B. 2015. V. 92. Art. No. 115436.
Rogalski A. // Rep. Prog. Phys. 2005. V. 68. P. 2267.
Weiler M. Semiconductors and semimetals. New York: Academic press, 1981. P. 119.
Orlita M., Basko D.M., Zholudev M.S. et al. // Nature Physics. 2014. V. 10. P. 233.
Teppe F., Marcinkiewicz M., Krishtopenko S.S. et al. // Nature Commun. 2016. V. 7. Art. No. 12576.
Dvoretsky S., Mikhailov N., Sidorov Y. et al. // J. Electron. Mater. 2010. V. 39. P. 918.
Varavin V.S., Dvoretsky S.A., Liberman V.I. et al. // J. Cryst. Growth. 1996. V. 159. P. 1161.
Ruffenach S., Kadykov A., Rumyantsev V.V. et al. // APL Materials. 2017. V. 5. No. 3. Art. No. 035503.
Kvon Z.D., Danilov S.N., Mikhailov N.N. et al. // Physica E. 2008. V. 40. No. 6. P. 1885.
Savchenko M.L., Otteneder M., Dmitriev I.A. et al. // Appl. Phys. Lett. 2020. V. 117. Art. No. 201103.
Ярошевич А.С., Квон З.Д., Гусев Г.М., Михайлов Н.Н. // Письма в ЖЭТФ. 2020. Т. 111. № 2. С. 107; Yaroshevich A.S., Kvon Z.D., Gusev G.M., Mikhailov N.N. // JETP Lett. 2020. V. 111. No. 2. P. 121.
Галеева А.В., Артамкин А.И., Михайлов Н.Н. и др. // Письма в ЖЭТФ. 2017. Т. 106. № 3. С. 156; Galeeva A.V., Artamkin A.I., Mikhailov N.N. et al. // JETP Lett. 2017. V. 106. P. 162.
Galeeva A.V., Artamkin A.I., Kazakov A.S. et al. // Beilsten J. Nanotechnol. 2018. V. 9. P. 1035.
Galeeva A.V., Kazakov A.S. Artamkin A.I. et al. // Sci. Reports. 2020. V. 10. P. 2377.
Ганичев С.Д., Емельянов С.А., Ярошецкий И.Д. // Письма ЖЭТФ. 1982. Т. 35. № 7. С. 297; Ganichev S.D., Emel’yanov S.A., Yaroshetskii I.D. // JETP Lett. 1982. V. 35. P. 368.
Bel’kov V.V. Ganichev S.D., Schneider P. et al. // Solid. State. Commun. 2003. V. 128. P. 283.
Kazakov A.S., Galeeva A.V., Artamkin A.I. et al. // Sci. Reports. 2021. V. 11. P. 1587.