Информация об авторе

Масальский, Н. В.

Выпуск	Раздел	Название	Файл
Том 53, № 3 (2024)	МОДЕЛИРОВАНИЕ	Моделирование кремниевых полевых конических GAA-нанотранзисторов со стековым SiO2/HfO2 подзатворным диэлектриком
Том 52, № 5 (2023)	ПРИБОРЫ	Влияние деградации горячих носителей на характеристики высоковольтного КНИ транзистора с большой областью дрейфа
Том 52, № 4 (2023)	МОДЕЛИРОВАНИЕ	Моделирование кремниевых полевых с полностью охватывающим затвором нанотранзисторов с высоким k подзатворного диэлектрика
Том 53, № 5 (2024)	ПРИБОРЫ	Температурные зависимости напряжения пробоя высоковольтного КНИ LDMOS транзистора
Том 54, № 2 (2025)	НАНОТРАНЗИСТОРЫ	Влияние шероховатости границы на вариативность ВАХ кремневых полевых GAA нанотранзисторов
Том 54, № 3 (2025)	ПРИБОРЫ	Температурные характеристики простого токового зеркала на кремниевых высоковольтных nLDMOS с большой DRIFT областью