Changes in the intrinsic stimulated intense picosecond emission of the Al x Ga 1–x As-GaAs-Al x Ga 1–x As heterostructure due to the return of those part of the emission that was reflected from the end of the heterostructure to the active region

N. N. Ageeva; Агеева Н. Н.; I. L. Bronevoi; Броневой И. Л.; A. N. Krivonosov; Кривоносов А. Н.

doi:10.31857/S0033849425010071

Изменения собственного стимулированного интенсивного пикосекундного излучения гетероструктуры Al_xGa_1–xAs-GaAs-Al_xGa_1–xAs из-за возвращения в активную область отраженной от торца гетероструктуры части излучения

Авторы: Агеева Н.Н.¹, Броневой И.Л.¹, Кривоносов А.Н.¹
Учреждения:
1. Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН
Выпуск: Том 70, № 1 (2025)
Страницы: 65-72
Раздел: ФИЗИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ В ЭЛЕКТРОННЫХ ПРИБОРАХ
URL: https://edgccjournal.org/0033-8494/article/view/684122
DOI: https://doi.org/10.31857/S0033849425010071
EDN: https://elibrary.ru/HJHWKG
ID: 684122

Цитировать

Полный текст

Открытый доступ
Доступ закрыт

Доступ предоставлен
Доступ закрыт

Доступ платный или только для подписчиков

Аннотация
Полный текст
Об авторах
Список литературы
Дополнительные файлы
Статистика

Аннотация

Обнаружено гашение генерации собственного стимулированного интенсивного пикосекундного излучения гетероструктуры Al_xGa_1–xAs-GaAs-Al_xGa_1–xAs, выходящего из ее торца. Гашение происходит при возвращении в активную область отраженной от торца гетероструктуры части излучения. Этот новый эффект позволяет уменьшать длительность излучения вплоть до 7.5 раз.

Ключевые слова

нелинейная динамика, стимулированное пикосекундное излучение, гашение генерации излучения, гетероструктура, распределенный брэгговский отражатель, фотонный кристалл, сокращение длительности излучения

Полный текст

Об авторах

Н. Н. Агеева

Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН

Email: bil@cplire.ru
Россия, 125009, Москва, ул. Моховая, 11, стр. 7

И. Л. Броневой

Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН

Автор, ответственный за переписку.
Email: bil@cplire.ru
Россия, 125009, Москва, ул. Моховая, 11, стр. 7

А. Н. Кривоносов

Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН

Email: bil@cplire.ru
Россия, 125009, Москва, ул. Моховая, 11, стр. 7

Список литературы

Агеева Н.Н., Броневой И.Л., Кривоносов А.Н. // ЖЭТФ. 2022. Т. 162. № 6. С. 1018.
Агеева Н.Н., Броневой И.Л., Кривоносов А.Н. // РЭ. 2023. Т. 68. № 3. С. 211.
Агеева Н.Н., Броневой И.Л., Кривоносов А.Н. // РЭ. 2024. Т. 69. № 2. С. 187.
Агеева Н.Н., Броневой И.Л., Кривоносов А.Н. // РЭ. 2024. Т. 69. № 7. С. 678.
Агеева Н.Н., Броневой И.Л., Забегаев Д.Н., Кривоносов А.Н. // ФТП. 2017. Т. 51. № 5. С. 594.
Joannopoulos J.D., Johnson S.G., Meade R.D., Winn J.N. Photonic Crystals: Molding the Flow of Light. Princeton: Univ. Press, 2011.
Marple D.T.F. // J. Appl. Phys. 1964. V. 35. № 4. P. 1241.
Ривлин Л.А. Динамика излучения полупроводниковых квантовых генераторов. М.: Сов. радио, 1976.
Шен И.Р. Принципы нелинейной оптики. М.: Наука, 1989.
Калафати Ю.Д., Кокин В.А. // ЖЭТФ. 1991. Т. 99. № 6. С. 1793.

Дополнительные файлы

Доп. файлы

Действие

1. JATS XML

Скачать

2. Рис. 1. Схема эксперимента (рисунок идентичен рис. 1 в [2]).

Скачать (128KB)

Метаданные

3. Рис. 2. Интегральные по времени спектры Ws(ħωs) s-излучения при различных сдвигах δY фокусного пятна луча накачки и энергиях Wex пикосекундного импульса накачки: (а) Wex = 1.18 отн.ед.; δY = 60 мкм (1), δY = 188 мкм (2), δY = 502 мкм (3); (б) Wex = 4.36 отн.ед.; δY = 30 мкм (1), δY = 446 мкм (2). Спектры на рис. 2а и 2б измеряли, используя дифракционные решетки 300 штрихов/мм и 1200 штрихов/мм соответственно.

Скачать (141KB)

Метаданные

4. Рис. 3. Хронограммы IΣ(t) интегрального по спектру s-излучения при Wex = 4.36 отн.ед. и различных δY : (а) – 68 мкм; (б) – 98 мкм; (в) – 252 мкм (кривая 1, там же кривой 2 показана хронограмма Iex(t) импульса накачки); (г) – 444 мкм.

Скачать (194KB)

Метаданные

5. Рис. 4. Зависимость от δY при Wex = 4.36 отн.ед: длительности s-излучения на полувысоте T1/2 (1); амплитуды А (2) и площади S (3) хронограммы s-излучения. Сплошные линии на рис. 4 и 5 проведены для наглядности.

Скачать (123KB)

Метаданные

6. Рис. 5. Зависимость от Wex при δY = 478 мкм: длительности T1/2 (1) s-излучения; площади S (2) и амплитуды А (3) хронограммы s-излучения; характерного времени τ (4) спадания интенсивности s-излучения.

Скачать (121KB)

Метаданные

7. Рис. 6. Схематическое представление изменения со временем (в местах активной области, указанных в тексте) интенсивности: (a) s-излучения (кривая 1), излучения накачки (кривая 2) и r-излучения (кривая 3), все при δY = –68 мкм; (б) s-излучения (кривая 1) при δY = –68 мкм; излучения накачки (кривая 2), r-излучения (кривая 3) и s-излучения (кривая 4) при δY = 92 мкм; (в) s-излучения (кривая 1) при δY = –68 мкм; излучения накачки (кривая 2), r-излучения (кривая 3) и s-излучения (кривая 4) при δY = 444 мкм.

Скачать (413KB)

Метаданные

8. Рис. 7. Хронограмма IΣ(t) излучения при Wex = 4.36 отн.ед. после сдвига на 506 мкм фокусного пятна луча накачки вдоль эпитаксиального слоя GaAs, перпендикулярно направлению Y (кривая 1) и хронограмма Iex(t) импульса накачки (кривая 2).