Сравнительный анализ магнитных и электронных свойств 2d фаз теллуридов хрома

Обложка

Цитировать

Полный текст

Открытый доступ Открытый доступ
Доступ закрыт Доступ предоставлен
Доступ закрыт Только для подписчиков

Аннотация

Проведено первопринципное моделирование двух различных квазидвумерных фаз на основе объемных фаз Cr2Te3 и CrTe3. В рамках метода функционала плотности и метода проекционных плоских волн произведена структурная релаксация полученных 2D-соединений и их объемных прототипов. Исследована магнитная анизотропия в различных кристаллографических плоскостях квазидвумерных структур и соответствующих объемных материалов. Обнаружено увеличение магнитной анизотропии при переходе от объемных фаз к квазидвумерным фазам Cr2Te3/CrTe3. Построена карта зарядовой плотности и найдена плотность электронных состояний для 2D-материалов Cr2Te3 и CrTe3.

Об авторах

А. И. Карцев

Вычислительный центр ДВО РАН; Московский государственный технический университет им. Н.Э. Баумана

Автор, ответственный за переписку.
Email: karec1@gmail.com
Россия, ул. Ким Ю Чена, 65, Хабаровск, 680000; ул. 2-я Бауманская, 5, стр.1, Москва, 105005

А. А. Сафронов

МИРЭА - Российский технологический университет

Email: karec1@gmail.com
Россия, просп. Вернадского, 78, Москва, 119454

Список литературы

  1. Zhang P., Xue S., Wang J. // Materials & Design. 2020. V. 192. P. 108726. https://doi.org/10.1016/j.matdes.2020.108726
  2. Zhang Z., Wang Z., Shi T. et al. // InfoMat. 2020. V. 2. №. 2. P. 261. https://doi.org/10.1002/inf2.12077
  3. Frazier A.B., Warrington R.O., Friedrich C. et al. // IEEE Trans. 1995. V. ID-42. № 5. P. 423. https://doi.org/10.1109/41.464603
  4. Charles Jr H. K. // Johns Hopkins APL Technical Digest. 2005. V. 26. №. 4. P. 402.
  5. Rohrer H.R. // Jap. J. Appl. Phys. 1993. V. 32. № 3. P. 1335.
  6. Keyes R.W. // IBM J. Research and Development. 1988. V. 32. № 1. P. 84.
  7. Гуляев Ю.В., Сандомирский В.Б., Суханов А.А., Ткач Ю.Я. // Успехи физ. наук. 1984. Т. 144. № 3. С. 475.
  8. Gong C., Zhang X. // Science. 2019. V. 363. № 6428. P. 4450. https://www.science.org/doi/10.1126/science.aav4450
  9. Kartsev A., Malkovsky S., Chibisov A. // Nanomaterials. 2021. V. 11. № 11. P. 2967. https://doi.org/10.3390/nano11112967Б
  10. Билык В.Р., Брехов К.А., Агранат М.Б., Мишина Е.Д. // Russ. Technol. J. 2023. Т. 11. № 3. С. 38. https://doi.org/10.32362/2500-316X-2023-11-3-38-4
  11. Negedu S. D., Kartsev A.I., Palit M. et al. // J. Phys. Chem. C. 2022. V. 126. № 30. P. 12545. https://doi.org/10.1021/acs.jpcc.2c02102
  12. Xiong Z., Hu C., Luo X. // Nano Lett. 2021. V. 21. № 24. P. 10486.
  13. Li R., Nie J.-H., Xianet J.-J. et al. // ACS Nano. 2022. V. 16. № 3. P. 4348.
  14. Yao J., Wang H., Yuan B. et al. // Adv. Mater. 2022. V. 34. № 23. P. 2200236.
  15. Medvedev M.G., Bushmarinov I.S., Sun J. et al. // Science. 2017. V. 355. № 6320. P. 49. https://www.science.org/doi/10.1126/science.aah5975
  16. Hafner J. // J. Computational Chem. 2008. V. 29. № 13. P. 2044. https://doi.org/10.1002/jcc.21057
  17. Perdew J.P., Ernzerhof M., Burke K. // J. Chem. Phys. 1996. V. 105. № 22. P. 9982.
  18. Kartsev A. A., Augustin M., Evans R.F.L. et al. // npj Computational Mater. 2020. V. 6. № 1. P. 150. https://www.nature.com/articles/s41524-020-00416-1
  19. Momma K, Izumi F. // J. Appl. Crystallography. 2008. V. 41. № 3. P. 653. https://doi.org/10.1107/S0021889808012016
  20. Synnatschke K., Badlyan N., Wrzesińska A. et al. // Ultrasonics Sonochemistry. 2023. V. 98. P. 106528.
  21. Pramanik T., Anupam R., Rik D. et al. // J. Magn. Magn. Mater. 2017. V. 437. P. 72.
  22. Bian M., Kamenskii N., Han M. et al. // Mater. Research Lett. 2021. V. 9. № 5. P. 205.
  23. Debbichi M., Debbichi L., Lebègue S. // Phys. Lett. A. 2020. V. 384. № 27. P. 126684.

Дополнительные файлы

Доп. файлы
Действие
1. JATS XML
Скачать

© Российская академия наук, 2024