Радиотехника и электроника

Публикуются статьи по широкому спектру теоретических и прикладных проблем радиоэлектроники, связи и физической электроники. Тематические рубрики журнала охватывают все важнейшие области радиотехники и электроники, такие как электродинамика, теория распространения радиоволн, обработка сигналов, линии передачи, теория и техника связи, физика полупроводников и физические процессы в электронных устройствах, применение методов радиоэлектроники и радиоэлектронных устройств в биологии и медицине, микроэлектроника, наноэлектроника, электронная и ионная эмиссия и т. д.

Журнал основан в 1956 году.

Свидетельство о регистрации СМИ: № 0110180 от 04.02.1993

Учредители

ИРЭ им. В.А.Котельникова РАН
 
Адрес: 125009, Москва, ул. Моховая 11, корп.7. 
Телефон:  +7 (495) 629 3574 - канцелярия
                +7 (495) 629 3616 - отдел кадров
Факс: +7 (495) 629 3678
 

Российская академия наук 

Текущий выпуск

Открытый доступ Открытый доступ  Доступ закрыт Доступ предоставлен  Доступ закрыт Только для подписчиков

Том 70, № 1 (2025)

Обложка

Весь выпуск

Открытый доступ Открытый доступ
Доступ закрыт Доступ предоставлен
Доступ закрыт Только для подписчиков

ЭЛЕКТРОДИНАМИКА И РАСПРОСТРАНЕНИЕ РАДИОВОЛН

Диаграммообразующая схема на связанных линиях передачи с неодинаковыми связями
Банков С.Е.
Аннотация

Предложена диаграммообразующая схема в виде периодической структуры из параллельных связанных линий передачи с неодинаковыми коэффициентами связи, предназначенная для формирования секторной диаграммы направленности линейной антенной решетки. В рамках теории связанных волн решена задача о собственных волнах системы бесконечных связанных линий передачи, а также решена задача о возбуждении системы из линий передачи конечной длины внешним источником. Получены соотношения, описывающие амплитуды волн в линиях передачи в выходной плоскости. Рассмотрен множитель направленности излучающей решетки, возбуждаемой волнами в выходной плоскости. Показано, что применение диаграммообразующей схемы нового типа позволяет улучшить форму множителя направленности решетки по сравнению с множителем направленности решетки, возбуждаемой схемой на линиях передачи с одинаковыми связями.

Радиотехника и электроника. 2025;70(1):3-11
pages 3-11 views

АНТЕННО-ФИДЕРНЫЕ СИСТЕМЫ

Сверхдиапазонная поликоническая антенна с градиентной диэлектрической линзой
Калошин В.А., Нгуен Тхе Т.
Аннотация

Предложена и исследована c использованием численного моделирования всенаправленная в одной плоскости поликоническая антенна с торроидальной градиентной диэлектрической анизотропной линзой Микаэляна, которая выполнена в виде набора параллельных соосных дисков из полистирола различной толщины. В результате исследования и оптимизации параметров показано, что оптимизированная поликоническая антенна с линзой согласована и обеспечивает высокую эффективность в полосе частот 40:1. Результаты численного моделирования подтверждены результатами измерений изготовленного макета антенны.

Радиотехника и электроника. 2025;70(1):12-19
pages 12-19 views

ТЕОРИЯ РАДИОТЕХНИЧЕСКИХ ЦЕПЕЙ

Дифференциальные уравнения для триггера и одновибратора с внешним воздействием
Китаев А.Е.
Аннотация

Получены численные решения дифференциальных уравнений для триггера на биполярных транзисторах при наличии внешнего воздействия. Показано, что решения обладают гистерезисными свойствами. Выведены дифференциальные уравнения для одновибратора на биполярных транзисторах и найдены их численные решения.

Радиотехника и электроника. 2025;70(1):20-26
pages 20-26 views

ЭЛЕКТРОНИКА СВЧ

Влияние дополнительного диэлектрического слоя и заземленного экрана на высокочастотные характеристики элементов GаAs микросхем в 3D-интегрированных модулях
Шеерман Ф.И., Голенева Н.В., Коколов А.А., Бабак Л.И., Черкашин М.В., Панасенко П.В., Волосов А.В.
Аннотация

С использованием электромагнитного моделирования в диапазоне частот до 40 ГГц исследовано влияние покрытия GaAs монолитных интегральных схем (МИС) диэлектрическим слоем бензоциклобутена и металлизированным слоем из меди на СВЧ-характеристики микрополосковой (МПЛ) и копланарной (КПЛ) линий передачи, а также симметрирующего трансформатора и полосового фильтра на базе МПЛ. Показано, что в GaAs МИС с указанным покрытием, используемых в 3D-интегрированных модулях, с точки зрения вариации характеристик предпочтительнее применять КПЛ.

Радиотехника и электроника. 2025;70(1):27-36
pages 27-36 views

ЭЛЕКТРОННАЯ И ИОННАЯ ОПТИКА

Решения в элементарных функциях для электронных пучков с пространственной осью и эллиптическим сечением
Сапронова Т.М., Сыровой В.А.
Аннотация

Приведены точные решения уравнений нерелятивистского немоноэнергетического пучка, описывающие потоки с эллиптическим сечением и пространственной осью в однородном магнитном поле при различных законах изменения осевой скорости.

Радиотехника и электроника. 2025;70(1):37-52
pages 37-52 views

ФИЗИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ В ЭЛЕКТРОННЫХ ПРИБОРАХ

Метамагнитный фазовый переход в соединении Mn5Si3
Кузнецов А.С., Маширов А.В., Мусабиров И.И., Митюк В.И., Кошелев А.В., Колесов К.А., Гайфуллин Р.Ю., Коледов В.В., Шавров В.Г.
Аннотация

Проведены исследования электросопротивления соединения Mn5Si3 в магнитных полях до 2 Тл при криогенных температурах в диапазоне от 35 до 90 K. По результатам измерений теплоемкости при постоянном давлении CP, намагниченности M и удельного электросопротивления ρ определены характерные температуры магнитных фазовых переходов TN1 и TN2. Показано, что поведение кривых ρ(T) отличается в зависимости от условий и протокола проведения измерений. По результатам измерений магнитокалорических свойств в сильных магнитных полях до 10 Тл при криогенных температурах в диапазоне от 25 до 125 К наблюдается как обратный, так и прямой магнитокалорический эффект. Максимальное значение обратного магнитокалорического эффекта составило ∆Tад = –1.1 K при начальной температуре T0 = 50 K в магнитном поле 10 Тл. Прямой магнитокалорический эффект с максимальным значением ∆Tад = +0.9 K наблюдается при T0 = 62.5 K в поле 10 Тл. Определен локальный показатель полевого распределения энтропии n, значение которого n > 2 подтверждает тип и существование фазового перехода 1-го рода.

Радиотехника и электроника. 2025;70(1):53-64
pages 53-64 views
Изменения собственного стимулированного интенсивного пикосекундного излучения гетероструктуры AlxGa1–xAs-GaAs-AlxGa1–xAs из-за возвращения в активную область отраженной от торца гетероструктуры части излучения
Агеева Н.Н., Броневой И.Л., Кривоносов А.Н.
Аннотация

Обнаружено гашение генерации собственного стимулированного интенсивного пикосекундного излучения гетероструктуры AlxGa1–xAs-GaAs-AlxGa1–xAs, выходящего из ее торца. Гашение происходит при возвращении в активную область отраженной от торца гетероструктуры части излучения. Этот новый эффект позволяет уменьшать длительность излучения вплоть до 7.5 раз.

Радиотехника и электроника. 2025;70(1):65-72
pages 65-72 views
О причинах низкого критического тока в двойниковых пленочных высокотемпературных сверхпроводниках
Ростами Х.Р., Лузанов В.А.
Аннотация

С помощью осцилляционной дифференциальной методики локального приближения исследовано влияние внутренних локальных и внешних полей размагничивания на величину плотности критического тока междвойниковых джозефсоновских слабых связей Jc высокотемпературных сверхпроводниковых образцов YBCO. В режимах охлаждения в нулевом поле и охлаждения в нулевом поле с накоплением потока для образцов с разными Jc и размерами двойников d измерены поля размагничивания образцов Hр1 и Hр2. Определены значения: d; термодинамических первых критических магнитных полей двойников Hтк1; полей размагничивания двойников Hрд; плотности внутридвойниковых эффективных критических токов Jc эф; критических токов пиннинга Jc п и экранирующих мейснеровских критических токов Jc М. Показано, что при полях Hтк1 двойники больших размеров скачкообразно «распадаются» на группу двойников меньших размеров с близкими размагничивающими факторами. Обнаружено, что увеличение Jc М, Jc эф и уменьшение d приводят с одной стороны к снижению Jc из-за увеличения поля размагничивания образца Hр и Hр д, созданного Jc эф и Jc М, с другой стороны – к усилению Jc эф и Jc М за счет уменьшения d.

Радиотехника и электроника. 2025;70(1):73-81
pages 73-81 views
Влияние лазерного излучения на работу полевого транзистора с управляющим p-n-переходом
Рехвиашвили С.Ш., Гаев Д.С., Литвинов А.Б.
Аннотация

Проведены экспериментальные и теоретические исследования влияния немодулированного лазерного излучения на функционирование полевого транзистора с управляющим p-n-переходом в составе усилительного каскада с общим истоком. Определены закономерности в изменениях параметров транзистора в зависимости от внешнего излучения. Установлено, что при лазерном облучении наибольшие изменения претерпевают напряжение отсечки и удельная крутизна затвора. Обнаружено, что при облучении транзисторной структуры возникает фотовольтаический эффект на p-n-переходе затвора, изменяется концентрация свободных носителей заряда в полупроводниковых областях и сопротивление канала. Показано, что прибор достаточно устойчив к воздействию лазерного излучения, что принципиально важно для создания радиационно-стойких интегральных схем.

Радиотехника и электроника. 2025;70(1):82-87
pages 82-87 views

НОВЫЕ РАДИОЭЛЕКТРОННЫЕ СИСТЕМЫ И ЭЛЕМЕНТЫ

Оценка пропускной способности систем связи на основе множественного доступа с разделением по скорости
Покаместов Д.А., Филатов А.В., Крюков Я.В., Шинкевич А.С., Шалин Г.Н., Рогожников Е.В.
Аннотация

Описан метод множественного доступа с разделением по скорости RSMA (Rate Split Multiple Access) для многоантенных систем связи. Приводится последовательность операций по формированию и обработке сигналов RSMA. Рассмотрены сценарии использования RSMA в системах связи и обосновывается эффективность применения этого метода. Получены оценки пропускной способности метода RSMA в сравнении с другими методами множественного доступа. Проведено численное моделирование оценки средней пропускной способности одного абонента с помощью инструмента QuaDRiGa. Показано, что RSMA позволяет добиться большей пропускной способности по сравнению с другими методами множественного доступа, применяемыми в многоантенных системах связи.

Радиотехника и электроника. 2025;70(1):88-95
pages 88-95 views
Реализация возможности проектирования аналоговых элементов с применением логических микросхем
Мартьянов П.С.
Аннотация

Представлено описание и применение методики синтеза радиотехнических элементов на конкретной задаче с использованием необходимой цифровой элементной базы для реализации аналоговых устройств. С помощью данной методики синтезированы аналоговые устройства и проведены экспериментальные исследования, получены выходные характеристики.

Радиотехника и электроника. 2025;70(1):96-100
pages 96-100 views