Химико-механическое полирование подложек CdZnTe с достижением морфологии поверхности для синтеза твердых растворов A2B6 методом молекулярно-лучевой эпитаксии

Обложка

Цитировать

Полный текст

Открытый доступ Открытый доступ
Доступ закрыт Доступ предоставлен
Доступ закрыт Только для подписчиков

Аннотация

Структурное совершенство эпитаксиального слоя HgCdTe с минимальным количеством протяженных структурных дефектов обеспечивается применением метода молекулярно-лучевой эпитаксии, а также ростом на согласованных по параметру кристаллической решетки подложках. Изготовленные в АО «НПО «Орион» подложки CdZnTe (211)В имеют разнотолщинность (TTV) менее 1.5 мкм и шероховатость поверхности Ra = 0.45 нм (rms = 0.58 нм).

Полный текст

Доступ закрыт

Об авторах

А. А. Трофимов

Акционерное общество «Научно-производственное объединение «Орион»; Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «МИРЭА — Российский технологический университет»

Автор, ответственный за переписку.
Email: aa-trofimov@yandex.ru
Россия, Москва; Москва

И. А. Денисов

Акционерное общество «Государственный научно-исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности «Гиредмет»

Email: aa-trofimov@yandex.ru
Россия, Москва

М. Б. Гришечкин

Акционерное общество «Государственный научно-исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности «Гиредмет»

Email: aa-trofimov@yandex.ru
Россия, Москва

Д. О. Царегородцев

Акционерное общество «Научно-производственное объединение «Орион»

Email: aa-trofimov@yandex.ru
Россия, Москва

А. Е. Гончаров

Акционерное общество «Научно-производственное объединение «Орион»

Email: aa-trofimov@yandex.ru
Россия, Москва

К. А. Гладышева

Акционерное общество «Научно-производственное объединение «Орион»

Email: aa-trofimov@yandex.ru
Россия, Москва

В. А. Малыгин

Акционерное общество «Научно-производственное объединение «Орион»

Email: aa-trofimov@yandex.ru
Россия, Москва

А. М. Косякова

Акционерное общество «Научно-производственное объединение «Орион»

Email: aa-trofimov@yandex.ru
Россия, Москва

Список литературы

  1. Rogalski A. Infrared detectors. CRC Press, 2019. 898 p.
  2. Бурлаков И.Д., Болтарь К.О., Кузнецов С.А. и др. // В кн.: Материалы XXVI Междунар. научно-техн. конф. по фотоэлектронике и приборам ночного видения. (Москва, 2022). 475 с.
  3. Сидоров Ю.Г., Дворецкий С.А., Варавин В.С. и др. // Физ. и техн. полупровод. 2001. Т. 35. № 9. С. 1092. // Sidorov Yu.G., Dvoretsky S.A., Varavin V.S. et al. // Semiconductors. 2001. V. 35. No. 9. P. 1092.
  4. Якушев М.В., Брунев Д.В., Варавин В.С. и др. // Физ. и техн. полупровод. 2011. Т. 45. № 3. С. 396; Yakushev M.V., Brunev D.V., Varavin V.S. et al. // Semiconductors. 2011. V. 45. No. 3. P. 396.
  5. Якушев М.В. Гетероэпитаксия ZnTe, CdTe и твердых растворов CdHgTe на подложках GaAs и Si. Дисс. … докт. физ.-мат. наук. Новосибирск: Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, 2011. 251 с.
  6. Базовкин В.М., Варавин В.С., Васильев В.В. и др. // УПФ. 2018. Т. 6. № 6. С. 501.
  7. Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Варавин В.С. и др. // Тезисы докл. XXVI Междунар. научно-техн. конф. по фотоэлектронике и приборам ночного видения. (Москва, 2022). С. 66.
  8. Capper P. Mercury Cadmium Telluride. Growth, properties and applications. Wiley, 2011. 600 р.
  9. de Lyon T.J., Rajavel R.D., Roth J.A. et al. // In: Handbook of infrared detection technoloqies. Ch. 9. Elsevier Science, 2002. P. 309.
  10. Павлюк М.Д. Детекторные кристаллы на основе CdTe и CdZnTe для прямого счета рентгеновских и гамма-квантов. Дисс. … канд. физ.-мат наук. Москва: ФНИЦ «Кристаллография и фотоника» РАН, 2020. 153 с.
  11. Трофимов А.А., Денисов И.А., Смирнова Н.А. и др. // УПФ. 2022. Т. 10. № 3. С. 289.
  12. Трофимов А.А., Денисов И.А., Гришечкин М.Б. и др. // Тезисы докладов ФОТОНИКА 2023. (Новосибирск, 2023). С. 24.
  13. Гришечкин М.Б., Денисов И.А., Силина А.А. и др. // Прикл. физ. 2014. № 5. С. 72.
  14. Grishechkin M.B., Denisov I.A., Silina A.A. et al. // Non-Ferrous Metals. 2016. No. 2. P. 23.
  15. Кузнецов И.А., Ларюшина Н.Н., Смирнов А.С. и др. Устройство для синтеза сверхтвердых материалов. Патент РФ № 2671731. 2017.
  16. Жуков Б.П. Энергетические конденсированные системы. Краткий энциклопедический словарь. М.: Янус-К, 1999. 595 с.
  17. ТУ 321212-001-07512007-2019 Микропорошок алмазный поликристаллический детонационный. АО «ГосНИИмаш».
  18. Трофимов А.А., Ухабин О.А., Смирнов А.С. и др. // УПФ. 2022. Т. 10. № 5. С. 459.
  19. Мирофянченко Е.В., Мирофянченко А.Е., Попов В.С. // Прикл. физ. 2020. № 2. С. 46.
  20. Moravec P., Höschl P., Franc J. et al. // J. Electron. Mater. 2006. V. 35. No. 6. P. 1206.
  21. Lauten O. Comparative study of CdZnTe substrates prepared by different methods. Master of science in physics and mathematics thesis. Norwegian University of Science and Technology, 2017.
  22. Kakkireni S. Сhemical polishing of cadmium zinc telluride (CdZnTe) and cadmium telluride (CdTe) for molecular beam epitaxy (MBE) applications. Master of science in mechanical engineering thesis. Washington State University, 2017.

Дополнительные файлы

Доп. файлы
Действие
1. JATS XML
2. Рис. 1. Измерение шероховатости поверхности участка 30×30 мкм2 образца CdZnTe после предфинишного полирования. На длине 26 мкм2 Ra = 1.55 нм, rms = 1.93 нм.

Скачать (32KB)
3. Рис. 2. Оценка морфологии и шероховатости поверхности участка размером 337´282 мкм2 образца CdZnTe после финишного химико-механического полирования. На длине 330 мкм2 Ra = 0.69 нм, rms = 0.80 нм.

Скачать (29KB)
4. Рис. 3. Измерение шероховатости поверхности участка 15´15 мкм2 образца CdZnTe после финишного химико-механического полирования. На длине 21 мкм Ra = 0.45 нм, rms = 0.58 нм.

Скачать (38KB)
5. Рис. 4. Результаты подготовки коммерчески доступных подложек CdZnTe кристаллографической ориентации (211) В для выращивания HgCdTe методом МЛЭ: подложка размером 20´20 мм2, изображение атомно-силового микроскопа участка 5´5 мкм2, rms = 0.44 нм (а); подложка размером 25´25 мм2 (Nippon, Япония), изображение атомно-силового микроскопа участка 5´5 мкм2, rms = 0.3 нм (в центре участка), rms = 0.95 нм (с учетом преципитатов Te) (б); подложка размером 15´15 мм2 (Nippon, Япония), изображение атомно-силового микроскопа участка 20´20 мкм2, rms = 1.0 нм (в).

Скачать (14KB)

© Российская академия наук, 2024