Investigation of semiconductor materials by the thermo-optical method in a magnetic field
- 作者: Kotov A.N.1, Starostin A.A.1, Shangin V.V.1, Bobin S.B.2, Lonchakov A.T.2
-
隶属关系:
- Institute of Thermal Physics of the Ural Branch of the Russian Academy of Sciences
- Mikheev Institute of Metal Physics of the Ural Branch of the Russian Academy of Sciences
- 期: 卷 87, 编号 11 (2023)
- 页面: 1547-1553
- 栏目: Articles
- URL: https://edgccjournal.org/0367-6765/article/view/654552
- DOI: https://doi.org/10.31857/S0367676523702691
- EDN: https://elibrary.ru/FXXHRC
- ID: 654552
如何引用文章
详细
The results of studying the effect of temperature and magnetic field on the relaxation of the thermo-optical signal in semiconductor samples with different electronic spectra n-Ge, n-InSb, ZnSe:Ni are presented. The results were obtained using a two-beam fiber-optic “pump–probe” method with a Fabry–Perot interferometer in the temperature range from 4.2 to 300 K with the application of a magnetic field up to 8 T. The significant change of behavior of reflected probing beam with wavelength of 1530 nm was found after the action of a pump pulse for the sample of n-Ge at temperatures below 30 K and a field induction of more than 2 T. This phenomenon is caused by transformation of electronic structure.
作者简介
A. Kotov
Institute of Thermal Physics of the Ural Branch of the Russian Academy of Sciences
编辑信件的主要联系方式.
Email: artem625@mail.ru
Russia, 620016, Yekaterinburg
A. Starostin
Institute of Thermal Physics of the Ural Branch of the Russian Academy of Sciences
Email: artem625@mail.ru
Russia, 620016, Yekaterinburg
V. Shangin
Institute of Thermal Physics of the Ural Branch of the Russian Academy of Sciences
Email: artem625@mail.ru
Russia, 620016, Yekaterinburg
S. Bobin
Mikheev Institute of Metal Physics of the Ural Branch of the Russian Academy of Sciences
Email: artem625@mail.ru
Russia, 620108, Yekaterinburg
A. Lonchakov
Mikheev Institute of Metal Physics of the Ural Branch of the Russian Academy of Sciences
Email: artem625@mail.ru
Russia, 620108, Yekaterinburg
参考
- Алферов Ж.И., Вавилов В.С. Оптические процессы в полупроводниках. М.: Мир, 1973. 456 с.
- Ю П., Кардона М. Основы физики полупроводников. М.: ФИЗМАТЛИТ, 2002. 560 с.
- Уханов Ю.И. Оптические свойства полупроводников М.: Наука, 1977. 366 с.
- Сухоруков Ю.П., Телегин А.В., Бессонов В.Д. и др. // Изв. РАН. Сер. физ. 2013. Т. 77. № 10. С. 1482; Sukhorukov Yu.P., Telegin A.V., Bessonov V.L. et al. // Bull. Russ. Acad. Sci. Phys. 2013. V. 77. No. 10. P. 1275.
- Ганьшина Е.А., Припеченков И.М., Перова Н.Н. и др. // Изв. РАН. Сер. физ. 2023. Т. 87. № 3. С. 328; Ganshina A.A., Pripechenkov I.M., Perova N.N. et al. // Bull. Russ. Acad. Sci. Phys. 2023. V. 87. No. 3. P. 282.
- Starostin A.A., Shangin V.V., Lonchakov A.T. et al. // Annalen der Physik. 2020. V. 532. No. 8. Art. No. 1900586.
- Romanova E., Kuzyutkina Y., Shiryaev V. et al. // J. Non-Cryst. Solids. 2018. V. 480. P. 13.
- Ваксман Ю.Ф., Ницук Ю.А., Яцун В.В. и др. // ФТП. 2010. Т. 44. № 2. С. 149; Vaksman Y.F., Nisuk Y.A., Yatsun V.V. et al. // Semiconductors. 2010. V. 44. No. 2. P. 141.
- Прохоров А.М. Исследования неравновесных носителей в германии при низких температурах. М.: Наука, 1985. 166 с.
- Сейсян Р.П. Спектроскопия диамагнитных экситонов. М.: Наука, 1984. 284 с.
- Сейсян Р.П. // ФТТ. 2016. Т. 58. № 5. С. 833; Seisyan R.P. // Phys. Solid State. 2016. V. 58. No. 5. С. 859.
- Сейсян Р.П., Савченко Г.М., Аверкиев Н.С. // ФТП. 2012. Т. 46. № 7. С. 896; Seisyan R.P., Savchenko G.M., Averkiev N.S. // Semiconductors. 2012. V. 46. No. 7. P. 873.
- Ландсберг Г.С. Оптика. М.: Физматлит, 2010. 848 с.
- Удд Э. Волоконно-оптические датчики. М.: Техносфера, 2008. 520 с.
- Бутусов М.М., Галкин С.Л., Оробинский С.П., Пал Б.П. Волоконная оптика и приборостроение. Л.: Машиностроение, 1987. 328 с.
- Окоси Т., Окамото К., Оцу М. и др. Волоконно-оптические датчики. Л.: Энергоатомиздат, 1990. 256 с.
- Лозовский В.Н., Лунин Л.С., Благин А.В. Градиентная жидкофазная кристаллизация многокомпонентных полупроводниковых материалов. Ростов-на-Дону: Изд.: СКНЦ ВШ, 2003. 376 с.
- Скворцов Л.А. Основы фототермической радиометрии и лазерной термографии. М.: Техносфера, 2017. 218 с.
- Тауц Я. Фото- и термоэлектрические явления в полупроводниках. М.: Изд-во иностр. лит., 1962. 253 с.
- Новицкий Л.А., Кожевников И.Г. Теплофизические свойства материалов при низких температурах. Справочник. М.: Машиностроение, 1975. 216 с.
补充文件
