Список статей

Выпуск Название Файл
Том 54, № 2 (2025) Прецизионное травление алюминиевых проводников в технологии коммутирующих устройств микросистемной техники
Дидык П.И., Жуков А.А.
Том 53, № 2 (2024) Применение метода конечных элементов для расчета параметров поверхностных акустических волн и устройств на их основе
Койгеров А.С.
Том 53, № 1 (2024) Применение спектральной эллипсометрии для диэлектрических, металлических и полупроводниковых пленок в технологии микроэлектроники
Гайдукасов Р.А., Мяконьких А.В.
Том 52, № 6 (2023) Проектирование интегральных умножителей напряжения по типовым КМОП-технологиям
Синюкин А.С., Коноплев Б.Г., Ковалев А.В.
Том 52, № 6 (2023) Прототипы приборов гетерогенной гибридной полупроводниковой электроники с встроенным биомолекулярным доменом
Баранов М.А., Карсеева Э.К., Цыбин О.Ю.
Том 53, № 2 (2024) Пульсации DC/DC преобразователя, построенного по SEPIC топологии
Битюков В.К., Лавренов А.И.
Том 53, № 5 (2024) Разработка аппарата образного представления информации для нейроморфных устройств
Симонов Н.А.
Том 54, № 1 (2025) Разработка и испытание технологической платформы атомно-слоевого осаждения для синтеза материалов микро- и наноэлектроники
Амашаев Р.Р., Исубгаджиев Ш.М., Рабаданов М.Х., Абдулагатов И.М.
Том 54, № 4 (2025) Разработка коррелятора для измерения автокорреляционной функции второго порядка источников одиночных фотонов
Салказанов А.Т., Гусев А.С., Каргин Н.И., Калошин М.М., Клоков В.А., Косогорова Т.А., Маргушин Р.Е., Саури А.Д., Сычев А.А., Вергелес С.С.
Том 52, № 1 (2023) Разработка методики построения нелинейной модели метаморфного 0.15 мкм МHEMT InAlAs/InGaAs транзистора
Локотко В.В., Васильевский И.С., Каргин Н.И.
Том 52, № 3 (2023) Разработка нелинейной модели псевдоморфного 0.15 мкм рHEMT AlGaAs/InGaAs/GaAs транзистора
Цунваза Д., Рыжук Р.В., Васильевский И.С., Каргин Н.И., Клоков В.А.
Том 53, № 3 (2024) Разработка приборной структуры Ge-МДПТ с индукцированным каналом p-типа
Алябина Н.А., Архипова Е.А., Бузынин Ю.Н., Денисов С.А., Здоровейщев А.В., Титова А.М., Чалков В.Ю., Шенгуров В.Г.
Том 52, № 1 (2023) Расчет напряженности электрического поля и плотности тока внутри тонкого металлического слоя с учетом скин-эффекта
Завитаев Э.В., Русаков О.В., Чухлеб Е.П.
Том 52, № 6 (2023) Расчет рабочих характеристик МЭМС‑переключателя c “плавающим” электродом
Морозов М.О., Уваров И.В.
Том 54, № 1 (2025) Расчет распределений энергии электронного пучка, поглощенной в ПММА и Si, с использованием различных моделей рассеяния
Рогожин А.Е., Сидоров Ф.А.
Том 54, № 3 (2025) Самосборка трехмерных мезоструктур с использованием локальной ионно-плазменной обработки
Бабушкин А.С., Селюков Р.В., Амиров И.И., Наумов В.В., Изюмов М.О.
Том 54, № 2 (2025) Сегнетоэлектрические транзисторы: принципы работы, материалы, приложения
Резнюков А.Ю., Фетисенкова К.А., Рогожин А.Е.
Том 52, № 2 (2023) Сечения процессов рассеяния при электронно-лучевой литографии
Рогожин А.Е., Сидоров Ф.А.
Том 53, № 5 (2024) Согласование параметров термоэлектрической системы охлаждения теплонагруженных элементов электроники
Васильев Е.Н.
Том 53, № 6 (2024) Состав газовой фазы и кинетика атомов фтора в плазме SF6
Мяконьких А.В., Кузьменко В.О., Ефремов А.М., Руденко К.В.
Том 54, № 3 (2025) Стабилизация состояний мемристорной ячейки в процессе начальных переключений после формовки
Фадеев А.В., Руденко К.В.
Том 53, № 3 (2024) Структура и формирование энергонезависимых ячеек памяти Superflash
Абдуллаев Д.А., Боброва Е.В., Милованов Р.А.
Том 54, № 3 (2025) Структура тонких пленок нитрида титана, сформированных методом магнетронного распыления
Исаев А.Г., Рогожин А.Е.
Том 53, № 1 (2024) Структурирование поверхности тонких углеродных пленок в ходе активации импульсами тока микросекундной длительности
Нефедов Д.В., Шабунин Н.О., Браташов Д.Н.
Том 53, № 2 (2024) Структурные особенности и электрические свойства термомиграционных каналов Si(Al) для высоковольтных фотоэлектрических преобразователей
Ломов А.А., Середин Б.М., Мартюшов С.Ю., Татаринцев А.А., Попов В.П., Малибашев А.В.
Том 53, № 5 (2024) Температурные зависимости напряжения пробоя высоковольтного КНИ LDMOS транзистора
Новоселов А.С., Гусев М.Р., Масальский Н.В.
Том 54, № 3 (2025) Температурные характеристики простого токового зеркала на кремниевых высоковольтных nLDMOS с большой DRIFT областью
Новоселов А.С., Гусев М.Р., Масальский Н.В.
Том 53, № 3 (2024) Тепловое моделирование и оптимизация топологии GaN интегральной схемы полумоста с драйвером управления и силовыми транзисторами
Кагадей В.А., Кодорова И.Ю., Полынцев Е.С.
Том 52, № 4 (2023) Томографии детекторов с учетом мертвого времени
Богданов Ю.И., Катамадзе К.Г., Борщевская Н.А., Авосопянц Г.В., Богданова Н.А., Кулик С.П., Лукичев В.Ф.
Том 54, № 1 (2025) Формирование композитных магнитных наноструктур на основе никеля для устройств микроэлектроники и нанодиагностики
Воробьева А.И., Тишкевич Д.И., Уткина Е.А., Ходин А.А.
Том 53, № 4 (2024) Эволюция вольт-амперной характеристики биполярного мемристора
Фадеев А.В., Руденко К.В.
Том 54, № 2 (2025) Электрические характеристики рутениевых дорожек с площадью поперечного сечения менее 1000 нм2
Глаз О.Г., Рогожин А.Е.
Том 54, № 4 (2025) Электропроводность тонкой поликристаллической пленки с учетом различных коэффициентов зеркальности
Кузнецова И.А., Романов Д.Н.
Том 52, № 6 (2023) Электрофизические параметры p-i-n-фотодиодов, облученных γ-квантами 60Со
Ковальчук Н.С., Ластовский С.Б., Оджаев В.Б., Петлицкий А.Н., Просолович В.С., Шестовский Д.В., Явид В.Ю., Янковский Ю.Н.
Том 52, № 5 (2023) Электрофизические параметры и эмиссионные спектры тлеющего разряда дифтордихлорметана
Мурин Д.Б., Чесноков И.А., Гогулев И.А., Гришков А.Э.
Том 52, № 1 (2023) Электрофизические характеристики и эмиссионные спектры плазмы тетрафторметана
Мурин Д.Б., Пивоваренок С.А., Чесноков И.А., Гогулев И.А.
101 - 136 из 136 результатов << < 1 2