Исследование метода двойной литографии с использованием антиспейсера

Обложка

Цитировать

Полный текст

Открытый доступ Открытый доступ
Доступ закрыт Доступ предоставлен
Доступ закрыт Только для подписчиков

Аннотация

В настоящей работе рассматривается метод двойной литографии с использованием антиспейсера, позволяющий сформировать структуры критических слоёв с суб-193i-литографическими размерами, выходящими за пределы одиночной экстремальной ультрафиолетовой литографии. Исследован комплекс ключевых параметров, влияющий на производительность процесса, и представлен способ оптимизации литографического процесса.

Полный текст

Доступ закрыт

Об авторах

Е. Д. Тихонова

АО “НИИМЭ”

Автор, ответственный за переписку.
Email: etikhonova@niime.ru
Россия, Москва

Е. С. Горнев

АО “НИИМЭ”

Email: egornev@niime.ru
Россия, Москва

Список литературы

  1. Красников Г.Я. Возможности микроэлектронных технологий с топологическими размерами менее 5 нм // Наноиндустрия. 2020. Т. 13. № S5–1(102). С. 13–19.
  2. Ann B. Kelleher Evolution of advanced lithography and patterning in the system technology co-optimization era of Moore’s law // Proc. SPIE PC12953, Optical and EUV Nanolithography XXXVII, PC1295302 (10 April 2024).
  3. Mansfield E., Barnes B., Kline R., Vladar A., Obeng Y., Davydov A. International roadmap for devices and systems 2023 edition metrology, International Roadmap for Devices and Systems (IRDS™), [online], https://tsapps.nist.gov/publication/get_pdf.cfm?pub_id=956664, https://irds.ieee.org/editions/2023 (Accessed November 12, 2024);
  4. J.G. Santaclara, Rudy Peeters, Rob van Ballegoij, Sjoerd Lok, Jan van Schoot, Paul Graeupner, Peter Kuerz, Joerg Mallmann, Greet Storms, Peter Vanoppen. The next step in Moore’s law: high-NA EUV introduction at the customer // Proc. SPIE12953, Optical and EUV Nanolithography XXXVII, 129530P (10 April 2024).
  5. Крошилин И.С. Подходы к созданию литографа для российских предприятий в условиях импортозамещения / И.С. Крошилин, С.В. Крошилин // Информационный обмен в междисциплинарных исследованиях III. Взгляд начинающих ученых: Специальный сборник трудов Всероссийской научно-практической конференции с международным участием, Липецк, 15 ноября 2023 года. – Липецк: Липецкий государственный педагогический университет имени П.П. Семенова-Тян-Шанского, 2023. – С. 8–12.
  6. Гущин О.П. Некоторые аспекты самосовмещенного паттернирования в иммерсионной литографии / Г.Я. Красников, О.П. Гущин, М.В. Литаврин, Е.С. Горнев // Электронная техника. Серия 3: Микроэлектроника. – 2018. – № 1(169). – С. 42–53.
  7. Тихонова Е.Д. Исследование процессного окна Fin-слоя в процессе самосовмещенного двойного паттернирования / Е. Д. Тихонова, Е. С. Горнев // Наноиндустрия. – 2024. – Т. 17, № S10–1(128). – С. 205–207.
  8. Тихонова Е.Д. Использование материала spin-on-carbon для улучшения метода самосовмещенного двойного паттернирования / Е. Д. Тихонова, Е. С. Горнев // Наноиндустрия. – 2020. – Т. 13. – № S5–3(102). – С. 859–861.
  9. Pattent US: US2014/0054756A1, 27.02.2014. Antispacer process and semiconductor structure generated by the antispacer process // Pattent US: US2014/0054756A1, 27.02.2014./ Michael Hyatt, Richard Housley, Anton de Villiers.
  10. Michael Hyatt, Karen Huang, Anton DeVilliers, Mark Slezak, Zhi Liu Anti-spacer double patterning // Proc. SPIE9051, Advances in Patterning Materials and Processes XXXI, 905118 (27 March 2014).
  11. Hassaan M., Saleem U., Singh A., Haque A.J., Wang K. Recent Advances in Positive Photoresists: Mechanisms and Fabrication. Materials 2024, 17, 2552.
  12. Литаврин М.В. Экстракция эмпирических констант экспонирования и постэкспозиционной сушки для фоторезистов с химическим усилением / М. В. Литаврин, А. А. Шарапов, А. В. Шишлянников, Е. С. Горнев // Наноиндустрия. – 2024. – Т. 17, № S10–2(128). – С. 710–718.
  13. Michael Murphy, Jacob Dobson, Jodi Grzeskowiak, David Power, Charlotte A. Cutler, Andrew Weloth, David Conklin Breaching high-NA EUV dimensions with 193i anti-spacer multipatterning // Proc. SPIE12957, Advances in Patterning Materials and Processes XLI, 1295711 (10 April 2024).

Дополнительные файлы

Доп. файлы
Действие
1. JATS XML
Скачать
2. Рис. 1. Дорожная карта развития литографического техпроцесса в зависимости от критических шагов: металлизации и затвора [3]

Скачать (548KB)
Метаданные
3. Рис. 2. Сравнение нормализированной цены операции литографии за пластину в зависимости от технологической нормы [4]

Скачать (412KB)
Метаданные
4. Рис. 3. Технологические маршруты методов: самосовмещённой двойной литографии (СДЛ) с использованием спейсера (слева) и двойной литографии (ДЛ) с использованием антиспейсера (справа) [7, 9]

Скачать (631KB)
Метаданные
5. Рис. 4. Ключевые параметры для улучшения и оптимизации этапов процесса ДЛ с антиспейсером

Скачать (293KB)
Метаданные

© Российская академия наук, 2025