Исследование влияния параметров фторидного процесса осаждения вольфрама на свойства вольфрамовых самокомпозитов, полученных методом химической пропитки из газовой фазы

Обложка

Цитировать

Полный текст

Открытый доступ Открытый доступ
Доступ закрыт Доступ предоставлен
Доступ закрыт Только для подписчиков

Аннотация

Изучено влияние параметров процесса химической инфильтрации из газовой фазы порошка вольфрама на глубину его пропитки, механические свойства и плотность полученных заготовок. Обнаружено, что глубина пропитки зависит от скорости осаждения вольфрама из газовой фазы, а максимальная прочность на изгиб достигается на образце, полученном при температуре 450 °C и давлении газа 133 мбар. Метод химической пропитки из газовой фазы перспективен для разработки технологии аддитивного формирования деталей из вольфрама и композитов на его основе.

Об авторах

Т. Н. Букатин

Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС»

Автор, ответственный за переписку.
Email: bukatin.t@gmail.com
Россия, Москва

Д. Ю. Карпенков

Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС»

Email: bukatin.t@gmail.com
Россия, Москва

В. В. Душик

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки «Институт физической химии и электрохимии имени А.Н. Фрумкина Российской академии наук»

Email: bukatin.t@gmail.com
Россия, Москва

Д. В. Тен

Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС»

Email: bukatin.t@gmail.com
Россия, Москва

Список литературы

  1. Zohm H. // Fusion Eng. Des. 2013. V. 88. No. 6—8. P. 428.
  2. https://pubchem.ncbi.nlm.nih.gov/compound/Tungsten.
  3. Kim H., Lee H.J., Kim S.H., Jang C. // Fusion Eng. Des. A. 2016. V. 109—111. P. 590.
  4. Gallardo J.A.G., Giménez M.A.N., Gervasoni J.L. // Ann. Nucl. Energy. 2020. V. 147. Art. No. 107739.
  5. Xie J., Lu H., Lu J. et al. // Surf. Coat. Technol. 2021. V. 409. Art. No. 126884.
  6. Pitts R.A., Bonnin X., Escourbiac F. et al. // Nucl. Mater. Energy. 2019. V. 20. Art. No. 100696.
  7. Хорьков К.С., Абрамов В.Д., Кочуев Д.А. и др. // Изв. РАН. Сер. физ. 2017. Т. 81. № 12. С. 1619; Khorkov K.S., Abramov V.D., Kochuev D.A. et al. // Bull. Russ. Acad. Sci. Phys. 2017. V. 81. No. 12. P. 1429.
  8. Bachmann C., Arbeiter F., Boccaccini L.V. et al. // Fusion Eng. Des. 2016. V. 112. P. 527.
  9. Harutyunyan Z., Ogorodnikova O., Gasparyan Y. et al. // J. Nucl. Mater. 2022. V. 567. No. 153811.
  10. Marinelli G., Martina F., Lewtas H. et al. // J. Nucl. Mater. 2019. V. 522. P. 45.
  11. Крат С.А., Фефелова Е.А., Пришвицын А.С. и др. // Изв. РАН Сер. физ. 2022. Т. 86. № 5. С. 627; Krat S.A., Fefelova E.A., Prishvitsyn A.S. et al. // Bull. Russ. Acad. Sci. Phys. 2022. V. 86. P. 521.
  12. Jasper B., Coenen J.W., Riesch J. et al. // Mater. Sci. Forum. 2015. V. 825. P. 125.
  13. Dong Z., Ma Z., Yu L. et al. // Nature Commun. 2021. V. 12. P. 5052.
  14. Rieth M., Dudarev S.L., De Vicente S.G. et al. // J. Nucl. Mater. 2013. V. 432. No. 1—3. P. 482.
  15. Puma G.L., Bono A., Krishnaiah D., Collin J.G. // J. Hazard. Mater. 2008. V. 157. No. 2—3. P. 209.
  16. Fotovvati B., Namdari N., Dehghanghadikolaei A. // J. Manuf. Mater. Process. 2019. V. 3. No. 1. P. 28.
  17. Tamura S., Tokunaga K., Yoshida N. // J. Nucl. Mater. 2002. V. 307. P. 735.
  18. Song J., Yu Y., Zhuang Z. et al. // J. Nucl. Mater. 2013. V. 442(1—3). P. S208.
  19. Murphy J.D., Giannattasio A., Yao Z. et al. // J. Nucl. Mater. 2009. V. 386. P. 583.
  20. Angelescu D. E., Schroeder R. J. Технология изготовления металлических устройств со встроенными оптическими элементами, оптическими устройствами или оптическими и электрическими вводами. Патент США № 20100041155A1. 2008.
  21. Raumann L., Coenen J.W., Riesch J. et al. // Surf. Coat. Technol. 2020. V. 381. Art. No. 124745.

Дополнительные файлы

Доп. файлы
Действие
1. JATS XML

© Российская академия наук, 2024